Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (4)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Melezhik E$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Melezhik E. O. 
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe [Електронний ресурс] / E. O. Melezhik, J. V. Gumenjuk-Sichevska, F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 85-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_18
Electron relaxation processes at nitrogen temperatures in CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe quantum well (QW) with an inverted band structure is modelled. In this structure, scattering by longitudinal optical phonons, charged impurities, acoustic phonons and interfaces were taken into account. It was found that for undoped and lightly doped QWs (concentration of background n-type charged impurities in the well is 10<^>14 - 10<^>16 cm<^>-3 or less), for x close to the band inversion value 0,16, the electron mobility grows considerably when the QW width decreases. This mobility is higher for samples with smaller concentrations of charged impurities.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.601 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Melezhik E. O. 
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition [Електронний ресурс] / E. O. Melezhik, J. V. Gumenjuk-Sichevska, S. A. Dvoretskii // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 2. - С. 179-183. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_2_11
The band structure and dependences of the intrinsic concentration in the mercury-cadmium-telluride Hg0,32Cd0,68Te/Hg1-xCdxTe/Hg0,32Cd0,68Te quantum wells in the framework of the <$E 8~times~8~k.p> envelope function method on the well width L and composition x were calculated. Modeling of the energy spectra showed that the intrinsic concentration can vary about an order of magnitude with variation of the well width and chemical composition in the range of <$E x~symbol Г~0,16> and well width <$E L~symbol Г~20> nm at the liquid nitrogen temperature. These strong variations of the carrier concentration are caused by the insulator-semimetal topological transition.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.134 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Melezhik E. O. 
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells [Електронний ресурс] / E. O. Melezhik, J. V. Gumenjuk-Sichevska, F. F. Sizov // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 3. - С. 297-301. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_3_12
Modeled in this work is the electron mobility in the n-type Hg0,32Cd0,68Te/Hg1-xCdxTe/Hg0,32Cd0,68Te quantum well being in the semi-metal state at T = 77 K. Calculations take into account longitudinal polar optical phonon scattering, charged impurities scattering and electron-hole scattering. The Boltzmann transport equation has been solved directly to account the inelasticity of optical phonon scattering. Numerical modeling showed that the intrinsic electron mobility at liquid nitrogen temperature is sufficiently low. This mobility can be increased up to the values close to 10<^>5 - 10<^>6 cm<^>2/(<$Eroman {V~cdot~s}>) by increasing the electron concentration in the well. A higher electron concentration could be reached by doping the barriers or by applying the top gate voltage. The effect of mobility growth could be explained by the enhancement of 2DEG screening and the decrease of holes concentration.
Попередній перегляд:   Завантажити - 200.877 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Melezhik E. O. 
Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures [Електронний ресурс] / E. O. Melezhik, F. F. Sizov, N. N. Mikhailov, J. V. Gumenjuk-Sichevska // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 2. - С. 187-194. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_2_14
The dynamical screening function of two-dimensional electron gas in a wide HgTe quantum well (QW) has been numerically modeled in this work. Calculations were performed in the Random Phase Approximation (RPA) framework and were based on the Lindhard equation. Our simulations directly incorporated non-parabolicity of bulk 2D carriers' spectrum, which was obtained by full 8-band k.p method. Known from literature are the data that transport properties of HgTe QWs can be explained by graphene-like screening. We carried out the comparison of the screening function for the Schrodinger fermions in the inverted bands HgTe QW with the appropriate screening function for graphene monolayer with the Dirac fermions. In addition, the dependences of HgTe-specific screening function on temperature, scattering wave-vector and frequency have been studied with the purpose to ascertain the transport properties under high frequency radiation for the QW structures to be used as THz detectors. Plasmon frequencies of 2DEG in HgTe quantum well under study were calculated in the long-wave limit for T = 77 K.
Попередній перегляд:   Завантажити - 839.798 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського